據(jù)半導體投資聯(lián)盟報道，9 月 17 日，2019 中國集成電路設計大會在青島市嶗山區(qū)正式召開，中科院院士劉明在演講中指出，國內(nèi)的光刻技術(shù)與國外技術(shù)差距仍為 15～20 年，是集成電路領域中差距最大的環(huán)節(jié)。

　　關于光刻膠技術(shù)，劉明表示，我國在 EUV 光源、多層膜、掩膜、光刻膠、超光滑拋光技術(shù)等方面取得了一些研究進展。但總的來說，國內(nèi)的光刻技術(shù)與國外技術(shù)差距仍為 15～20 年，是集成電路領域中差距最大的環(huán)節(jié)。

　　在邏輯器件方面，劉明指出，國內(nèi)在低功耗新原理邏輯器件的機理、模型、材料、結(jié)構(gòu)和集成技術(shù)上開展了前瞻性研究。國內(nèi)優(yōu)勢企業(yè)、高校和研究所在硅基邏輯器件的成套先導技術(shù)上開展了系統(tǒng)研究，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了技術(shù)知識產(chǎn)權(quán)的幫助。

　　另外，劉明還表示，中國在新型存儲器前沿和關鍵技術(shù)等方面均開展了系統(tǒng)研究;學術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界合作緊密，開發(fā)了 RRAM、PRAM 和 MRAM 的大規(guī)模集成工藝。

　　最后，劉明強調(diào)，IC 的快速發(fā)展是信息化的核心和基礎，器件持續(xù)微縮的 More than Moore 路線，我國很難實現(xiàn)超越，但這是創(chuàng)新的基礎，必須夯實，沒有彎道可走。

　　據(jù)悉，目前荷蘭 ASML 公司的 EUV 光刻機已經(jīng)可以制造 7nm 及以下工藝，但是國內(nèi)的光刻機只能做到 90nm 工藝級別，多數(shù)是用在低端生產(chǎn)線上，或者是面板生產(chǎn)線上。
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