三星今日宣布采用 12 納米 (nm) 級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的 32Gb DDR5 DRAM，在相同封裝尺寸下，容量是 16Gb 內(nèi)存模組的兩倍。

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　　三星電子存儲器事業(yè)部內(nèi)存開發(fā)組執(zhí)行副總裁 SangJoon Hwang 表示：在三星最新推出的 12 納米級 32Gb 內(nèi)存的基礎(chǔ)上，三星可以研發(fā)出實現(xiàn) 1TB 內(nèi)存模組的解決方案，這有助于滿足人工智能和大數(shù)據(jù)時代對于大容量 DRAM 內(nèi)存日益增長的需求。

　　IT 之家附三星 12 納米級 32Gb DDR5 DRAM 產(chǎn)品介紹如下：

　　通過使用最新開發(fā)的 32Gb 內(nèi)存顆粒，即使不使用硅通孔 (TSV) 工藝也能夠生產(chǎn) 128GB 內(nèi)存模組。與使用 16Gb 內(nèi)存封裝的 128GB 內(nèi)存模組相比，其功耗降低了約 10%。這一技術(shù)突破使該產(chǎn)品成為數(shù)據(jù)中心等關(guān)注能效的企業(yè)的優(yōu)選解決方案。

　　以 12 納米級 32Gb DDR5 DRAM 為基礎(chǔ)，三星計劃繼續(xù)擴充大容量內(nèi)存產(chǎn)品陣容，以滿足高性能計算和 IT 行業(yè)持續(xù)增長的需求。通過向數(shù)據(jù)中心，以及采用人工智能和下一代計算等應(yīng)用的客戶提供 12 納米級的 32Gb 內(nèi)存，三星希望鞏固其在下一代內(nèi)存市場的前沿地位。未來，該產(chǎn)品還將在三星與其他核心行業(yè)伙伴的長期合作中發(fā)揮至關(guān)重要的作用。

　　全新 12 納米級 32Gb DDR5 DRAM 計劃于今年年底開始量產(chǎn)。
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